Изменения в обновлениях версии SimOne 1.2 Beta
1. Библиотека компонентов
- Включает в себя более 30.000 моделей реальных электронных компонентов.
- Предоставляет удобный интерфейс подключения SPICE-библиотек (*.lib файлы).
- Предоставляет удобный интерфейс подключения пользовательских графических подсхем.
2. Новые модели компонентов
- n-канальный and p-канальный МОП транзисторы.
- Нелинейные аналоговые функциональные источники тока и напряжения с функциями TABLE, POLY, Expression.
3. Графический модуль
- Добавлена библиотека математических функций и выражений, используемых при построении графиков.
- Добавленные функции курсоров.
4. Схемотехнический редактор
- Добавлена возможность создания, редактирования и удаления текстовых подсхем SPICE-формата.
5. Управление данными моделирования
- Вы можете теперь удобно управлять данными моделирования на жестком диске: каждый файл-схемасоздает свою собственную папку для симуляций и имя симуляций включается в имя файла на диске.
6. Пользовательский интерфейс
- Добавлено меню «График», содержащее следующие разделы:
Список графиков;
Добавить график;
Курсоры;
Отобразить маркеры точек на графике;
Экспорт…
Изменения в обновлениях версии SimOne 1.1 Beta
1. Симуляции
- добавлена возможность увеличения скорости моделирования за счет учета латентного состояния элементов. Настройки симуляции: BYPASS, MBYPASS, BYTOL.
- добавленна возможность управления демфированным методом Ньютона. Настройики - soffim, soffimitev;
- изменились настройки симуляции, задаваеммые по-умолчанию DC_RELTOL = 1e-3, LocusTOL1=1e-6,EigenFreqTOL1=1e-6
- в задании расчета по-постоянному току добавлена возможность задания начального приближения;
- добавлен автоматический выбор шага интегрирования во временном анализе;
- поля шага и интервала вывода графиков на экран в параметрах PSS анализа можно не заполнять;
2. Численные методы
- для повышения точности вычислений улучшен алгоритм выбор ведущего элемента в LU-разложении матрицы.
3. Схематик
- результаты симуляции теперь выводятся на схему с тремя знаками после запятой;
- появилась возможность включать и выключать отображение результатов симуляции на схеме;
- в моделях пассивных элементов R, L, C добавлен параметр допуска — TOLERANCE;
- добавлена возможность параметрического задания подсхем;
- реализована возможность использования взаимную индуктивность в подсхемах;
4. Исправленные ошибки
- расчет матричных параметров зависимых источников;
- расчет нелинейных параметров диода;
- метод Junction Gmin при расчете рабочей точки в DC-анализе;
- расчет периодических режимов корректно без выбора графиков для отображения;
- исправлен вывод результатов на экран для схем, в которых присутствуют подсхемы;
- исправлены ошибки загрузки нетлиста в SPICE-формате;
1. Анализ периодических режимов схемы
Расчет периодических режимов ведется с помощью пристрелочного метода Ньютона (Shooting Newton), при этом используется высокоэффективный подход — без явного формирования матрицы чувствительности (Matrix Free Approach). В качестве метода решения СЛАУ используется итерационный метод пространств Крылова — Gmres.
2. Схемный редактор
Добавлена возможность отображения на схеме величин переменных состояния в последней точке проведенного временного анализа или анализа периодических режимов.
3. Модуль управления моделированием
— Добавлен интерфейс задания переменных состояния.
— Изменен способ задания начальных условий симуляции. Помимо возможности использовать рабочую точку или загрузить вектор переменных состояния из файла появилась возможность задать значения переменных состояния вручную или использовать нулевые значения.
— Добавлена возможность автоматического выбора максимального количества потоков симуляции. Количество потоков симуляции выбирается в зависимости от типа процессора.
4. Модуль визуализации
При выключенном многовариантном анализе табличные результаты выводятся в виде вертикальных таблиц, а не горизонтальных.
5. Исправления
— Восстановлена возможность переименования соединения полностью.
— При открытии окна задания параметров анализа устойчивости флажки «Отобразить график собственных частот» и «Отобразить таблицу собственных частот» теперь корректно становятся доступными .
— Для подтверждения изменения текстовых полей на схеме больше не требуется нажимать клавишу Enter.
Изменения в обновлениях версии SimOne 1.0 Beta
1. Многовариантные виды моделирования схемы
Для каждого вида анализа схемы добавлена возможность проводить:
— Температурный анализ схемы (.TEMP) — проведение текущего расчета при изменении рабочей температуры.
— Параметрический анализ схемы (.PARAM) — проведение текущего расчета при изменении параметров моделей схемных компонентов.
2. Анализ переходных процессов
— Улучшен алгоритм выбора начального шага расчета.
3. Анализ устойчивости
— Добавлена возможность загрузки рабочей точки схемы из файла.
4. Схемные элементы
— Исправлены неточности в расчетах параметров моделей диода, полевых транзисторов NJFET, PJFET, арсенид-галлиевого транзистора GaAsFET, биполярных транзисторов NPN,PNP, NPN4,PNP4.
5. Схемный редактор
— Добавлена возможность перемещать по схеме имена моделей и значения параметров элементов.
— Добавлена возможность редактирования имен и параметров элементов на схеме, не открывая окно параметров.
— Результаты расчета рабочей точки отображаются на схеме.
6. Графический модуль
— Новое ядро графического модуля FastPlot позволяет эффективно отображать большие объемы данных симуляции.
7. Программные технологии
— Новый модуль работы с HDD позволяет проводить симуляции, объем данных которых ограничивается только объемом жесткого диска.
— Реализована эффективная поддержка многоядерной архитектуры процессора, что позволяет одновременно запускать несколько симуляций без потери производительности, а также существенно сократить время выполнения многовариантных видов расчета. Пользователю предоставляется возможность управления максимальным количеством параллельных потоков симуляции.
8. Экспорт данных
— Исправлены ошибки при экспорте данных симуляций.
1. Управление симуляциями
1.1. Для эффективного использования данных о характерных режимах поведения схемы создан «Помощник симуляции» («Симуляция–> Настройки–>Общие настройки»). Его применение целесообразно при многократных запусках различных видов анализа без изменения структуры схемы. Для таких случаев использование «Помощника симуляции» существенно повышает скорость расчетов и для больших схем ускорение может достигать десятков и сотен раз.
1.2. На вкладку настроек симуляции добавлена кнопка для установки всех параметров в состояние «по умолчанию».
1.3. При задании диапазонов моделирования частотного и временного анализа теперь можно использовать символьные суффиксы — m, p, n и т.п.
1.4. Изменен формат хранения симуляции. Вместо единого файла .sim данные симуляции теперь разбиты на несколько файлов:
— .xml – параметры симуляции
— .var – информация о векторе выходных переменных
— .dat – результаты симуляции
— .cod – служебная информация
2. Анализ устойчивости
2.1. Добавлены настройки выбора алгоритма определения окончания вычислений собственных частот схемы (EFCheckToITL) и нулей годографа Михайлова (CheckToITL).
3. Схемные элементы
3.1. Исправлены неточности в расчетах параметров моделей транзисторов PJFET, PNP, PNP4.
3.2. В моделях ключей V-Switch и I-Switch добавлен гистерезисный режим переключения (параметры VH, VT, IH, IT). Исправлены неточности в расчете непрерывного режима.
3.3. Добавлена модель длинной линии без искажений — параметр fading в Tline определяет величину затухания сигнала в линии. Линия без потерь — частный случай этой модели — fading =1.
4. Экспорт данных
4.1. Добавлена возможность экспортировать результаты расчетов в Excel, Matlab и Maple.
1. Устойчивость
1.1. Введены различные способы отображения годографа Михайлова — в линейном масштабе и нормированном логарифмическом.
1.2. Устранены неточности расчетов в работе со схемами низкого порядка (нулевого и первого) и при повторных запусках расчета собственных частот.
2. Статический режим
2.1. Улучшена сходимость всех методов расчета рабочей точки.
2.2. Добавлены параметры в настройки статического анализа для эффективного управления сходимостью методов
2.3. Исправленные неточности в методах Source stepping, Gmin stepping, Junction Gmin stepping.
2.4. Добавлена возможность сохранения рабочей точки в файл в текстовом формате.
3. Временной анализ, частотный анализ
3.1. Добавлена возможность загрузки рабочей точки из текстового файла.
4. Схемные элементы
4.1. Добавлены модели биполярных транзисторов NPN,PNP,NPN4,PNP4 — используется модель Гуммель-Пуна.
5. Экспорт данных
5.1. Добавлена возможность экспортировать расчетные данные — матрицы и вектора в формате Matlab и Maple. Это позволяет пользователю произвести расчет устойчивости и частотных характеристик схемы в этих математических пакетах самостоятельно.
6. Импорт данных SPICE-формате
6.1. Устранены неточности при импортировании независимых источников напряжения и тока и биполярных транзисторов.
7. Документ
7.1. Теперь симуляции, созданные для .net документа, загружаются при его следующем открытии, при условии что документ был сохранен после открытия.
8. Интерфейс
8.1. Добавлен диалог «О программе».
8.2. Добавлен пункт меню для открытия руководства пользователя.
SimOne предоставляет пользователям основные типы анализа схем, характерные для SPICE-моделирования:
— Анализ по постоянному току ( .DC).
— Частотный анализ (.AC).
— Временной анализ (.TRAN).
— Представлен новый вид анализа — Анализ устойчивости схемы.
В пакете используются стандартные SPICE-модели компонентов схем, такие как:
— резистор,
— конденсатор,
— индуктивность,
— трансформатор,
— линия передач,
— независимые и управляемые источники тока и напряжения,
— управляемые переключатели,
— диод,
— полевые транзисторы NJFET, PJFET — модель Шихмана-Ходжеса,
— арсенид-галлиевые полевые транзисторы GaAsFET,
— LEVEL = 1...5,
— биполярные транзисторы NPN, PNP
— модель Гуммель-Пуна.